Semiconductor

Recubrimiento de plasma en la industria de semiconductores

Caso de cliente

Los medios de grabado generalmente utilizados son CF4, SF6, O2, Cl2, HBr y otros gases corrosivos que corroen fuertemente las piezas en la cámara. En particular, cuando estos gases se vaporizan en plasma de alta densidad, se generan numerosas micropartículas en la superficie de aleaciones de aluminio, cuarzo, cerámica y otras piezas, debido al bombardeo y la erosión del plasma. Estas partículas liberadas afectan significativamente la calidad y el rendimiento de las piezas clave, provocando defectos en la oblea y reduciendo drásticamente su vida útil. Por otro lado, el recubrimiento de óxido presenta una buena estabilidad a altas temperaturas y resistencia al calor en entornos adversos.

Depositar una capa de óxido en la superficie interna de la cámara de grabado de chips previene eficazmente la generación de micropartículas y protege la oblea de silicio de la contaminación. El ciclo de mantenimiento de la cámara de grabado se extendería de 15 días a 6 meses.