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Artículo técnico

La aplicación de recubrimientos en la industria de semiconductores

La aplicación de recubrimientos en la industria de semiconductores

24/07/2025

Con el continuo avance de la industria de fabricación de semiconductores, donde las tecnologías de proceso han progresado hasta los 3 nm e incluso menos, los requisitos para los componentes semiconductores se han vuelto cada vez más estrictos.

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Efecto del voltaje de polarización sobre la microestructura y las propiedades mecánicas de los recubrimientos nanocompuestos de AlCrN/TiSiN.

Efecto del voltaje de polarización sobre la microestructura y las propiedades mecánicas de los recubrimientos nanocompuestos de AlCrN/TiSiN.

24/07/2025

Resumen: Se preparan películas de recubrimiento compuesto multicapa de AlCrN/TiSiN con polarizaciones de capa funcional de 40 V, 80 V, 120 V y 150 V mediante la tecnología AIP+HiPiMS. Se observan gotas superficiales mediante SEM, se miden la dureza, la adhesión y la tensión del recubrimiento, y se realizan pruebas de corte para explorar el impacto de los cambios en la polarización de la capa funcional sobre el rendimiento del recubrimiento. Se observa que, a medida que aumenta el voltaje de polarización de la capa funcional, el número de gotas disminuye primero y luego aumenta, mientras que la dureza y la adhesión aumentan y luego disminuyen. La dureza y la adhesión alcanzan su máximo a 120 V, llegando a 34,6 GPa y 117,5 N respectivamente. La tensión interna aumenta con el incremento de la polarización del sustrato de la capa funcional. Los resultados de las pruebas de corte muestran que la vida útil más larga es de 8 horas con una polarización de capa funcional de 120 V.

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Efecto de la intensidad del campo magnético del objetivo de TiSi sobre la tensión residual del recubrimiento duro de TiAlSiN depositado mediante deposición iónica por arco.

Efecto de la intensidad del campo magnético del objetivo de TiSi sobre la tensión residual del recubrimiento duro de TiAlSiN depositado mediante deposición iónica por arco.

24/07/2025

Referencia: CHEN YF, GUO ZM, HUI Y, et al. El efecto de la intensidad del campo magnético del objetivo de TiSi sobre la tensión residual del recubrimiento duro de TiAlSiN depositado por recubrimiento iónico de arco[J]. Vacuum and Cryogenics, 2024, 30 (1): 57−63.

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